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T C = 25 ℃ ━━
T C = 100 ℃ ------
V R = 200V
I F = 12A
T C = 25 ℃ ━━
T C = 100 ℃ ------
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1000
Forward Voltage Drop, V FM [V]
Fig 18. Forward Characteristics
600
V R = 200V
di/dt [A/us]
Fig 19. Reverse Recovery Current
100
V R =200V
500
I F = 12A
T C = 25 ℃ ━━
T C = 100 ℃ ------
80
I F =12A
T C = 25 ℃ ━━
T C = 100 ℃ ------
400
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300
40
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0
20
0
100
di/dt [A/us]
Fig 20. Stored Charge
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
1000
6
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di/dt [A/us]
Fig 21. Reverse Recovery Time
1000
www.fairchildsemi.com
SGS10N60RUFD Rev. C1
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